III-V compound semiconductor with high crystal quality and luminous efficiency
文献类型：专利
| 作者 | HOSOI, NOBUYUKI; SHIMOYAMA, KENJI; GOTO, HIDEKI |
| 发表日期 | 1997-02-25 |
| 专利号 | US5606180 |
| 著作权人 | MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | III-V compound semiconductor with high crystal quality and luminous efficiency |
| 英文摘要 | The invention includes a Group III-V compound semiconductor that comprises (1) a thin crystal film of A1IIIAswP1-w, wherein A1III represents a Group III element with Al composition of less than 0.3, 0.5 |
| 公开日期 | 1997-02-25 |
| 申请日期 | 1994-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46314]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HOSOI, NOBUYUKI,SHIMOYAMA, KENJI,GOTO, HIDEKI. III-V compound semiconductor with high crystal quality and luminous efficiency. US5606180. 1997-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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