Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren
文献类型：专利
| 作者 | HASHIMOTO JUNICHI,JP; KATSUYAMA TSUKURU,JP; YOSHIDA ICHIRO,JP |
| 发表日期 | 1997-02-20 |
| 专利号 | DE69400533T2 |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren |
| 英文摘要 | In a semiconductor laser having a p-type cladding layer consisting of GaInP or AlGaInP, an operating voltage is decreased. In a semiconductor laser formed on a GaAs substrate and having a p-type cladding layer consisting of GaInP or AlGaInP and a p-type contact layer consisting of GaAs or GaInAs, p-type buffer layers are formed between the p-type cladding layer and the p-type contact layer, which consists of a compound containing both arsenic (As) and phosphorus (P) and having a medium bandgap between those of the two layers. |
| 公开日期 | 1997-02-20 |
| 申请日期 | 1994-02-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46324]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HASHIMOTO JUNICHI,JP,KATSUYAMA TSUKURU,JP,YOSHIDA ICHIRO,JP. Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren. DE69400533T2. 1997-02-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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