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锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法

文献类型:专利

作者代丽; 谭超; 段小娟; 李大勇; 代平
发表日期2016-08-17
专利号CN103696011B
著作权人哈尔滨理工大学
国家中国
文献子类授权发明
其他题名锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法
英文摘要锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法,它涉及锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决现有铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。产品:由Nb2O5、LiCO3、ZrO2和Tm2O3制成。方法:一、混合四种原料;二、采用提拉法生长晶体,得到多畴晶体;三、极化,得到极化后的晶体;四、切割、抛光,得到Zr:Tm:LiNbO3晶体。本发明制备的Zr:Tm:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生,抗光损伤性能较高,能够做为激光晶体材料;本发明制备方法简单,便于操作,晶体生长速度快;在制备紧凑型、激光二极管泵浦、全固态可调谐激光器应用前景广阔。
公开日期2016-08-17
申请日期2013-12-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46335]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位哈尔滨理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
代丽,谭超,段小娟,等. 锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法. CN103696011B. 2016-08-17.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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