掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体及其制备方法与应用
文献类型：专利
| 作者 | 赵显; 刘彦庆; 于法鹏; 陈菲菲; 侯帅; 王正平; 周莹; 程秀凤 |
| 发表日期 | 2017-01-18 |
| 专利号 | CN104018225B |
| 著作权人 | 山东大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体及其制备方法与应用 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体，包括由化学式A3BGa3Si2O14系列晶体，其中，A为Ca或Sr，所述B为Nb或Ta；根据上述记载，掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体包括：Nd:Ca3TaGa3Si2O14、Nd:Sr3TaGa3Si2O14、Nd:Sr3NbGa3Si2O14和Nd:Ca3NbGa3Si2O14，该四种晶体均能实现自倍频。本发明还提供一种上述掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体的制备方法。本发明还提供一种上述掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体的应用，采用商用的中心波长为808nm的半导体激光器泵浦(LD),利用掺钕A3BGa3Si2O14(A＝Ca,Sr；B＝Nb,Ta)系列晶体其增益介质及非线性光学的性能，获得输出波长533nm的绿光自倍频激光，该激光器具有转化效率高、结构紧凑、小型化、可靠性高、寿命长等优点。 |
| 公开日期 | 2017-01-18 |
| 申请日期 | 2014-06-11 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46383]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵显,刘彦庆,于法鹏,等. 掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体及其制备方法与应用. CN104018225B. 2017-01-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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