基于环形谐振腔的多波长半导体激光器
文献类型:专利
作者 | 齐利芳; 李献杰; 赵永林; 蔡道民; 尹顺政; 过帆 |
发表日期 | 2014-04-23 |
专利号 | CN102570310B |
著作权人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 基于环形谐振腔的多波长半导体激光器 |
英文摘要 | 本发明公开了一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器,属半导体激光器领域。本发明自下而上包括衬底层、缓冲层、下包层、激活层、上包层和欧姆接触层;所述激光器上设有至少由欧姆接触层与部分上包层或全部上包层共同形成的在正向偏压下可产生激光光束的环形脊波导以及在正向偏压下可放大激光光束光功率的耦合波导;环形脊波导与激活层组成环形谐振腔;环形脊波导为一个以上,各环形脊波导的周长互不相等;耦合波导与环形脊波导相邻设置。本发明结构简单紧凑,容易与其他器件集成;简化了工艺,降低了成本;避免了多个单纵模激光器有源层的叠加,减小了材料生长难度;激光光束的输出路径灵活可调且容易实现激光器的大规模集成。 |
公开日期 | 2014-04-23 |
申请日期 | 2012-01-05 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46413] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 齐利芳,李献杰,赵永林,等. 基于环形谐振腔的多波长半导体激光器. CN102570310B. 2014-04-23. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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