纳米线、纳米线的生产方法及电子装置
文献类型：专利
| 作者 | 李银京; 崔秉龙; 朴京洙; 韩在熔 |
| 发表日期 | 2015-04-29 |
| 专利号 | CN101643196B |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 纳米线、纳米线的生产方法及电子装置 |
| 英文摘要 | 本发明公开了纳米线、纳米线的生产方法及电子装置。所述纳米线包含富硅氧化物。所述纳米线表现出优良的导电性质和光学特性，因此所述纳米线有效地应用在包括例如太阳能电池、传感器、光电探测器、发光二极管、激光二极管、EL装置、PL装置、CL装置、FET、CTF、表面等离子波导、MOS电容器等的各种应用中。 |
| 公开日期 | 2015-04-29 |
| 申请日期 | 2009-02-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46423]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李银京,崔秉龙,朴京洙,等. 纳米线、纳米线的生产方法及电子装置. CN101643196B. 2015-04-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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