一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王科 ; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠
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| 发表日期 | 2010-10-27 |
| 专利号 | CN101667715B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明是一种单模高功率垂直腔面发射激光器，属半导体光电子领域。其特征在于，包括P型电极(1)，P型Si衬底(2)，金属键合层(3)，P型分布布拉格反射镜(DBR)(4)，氧化限制层(5)，有源区(6)，N型DBR(7)，SiO2掩膜(8)，聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)(9)，N电极(10)，光子晶体(11)，出光窗口(12)。在该结构的垂直腔面发射激光器中引入光子晶体，可增大氧化孔径，提高单模输出功率，同时采用键合技术将传统VCSEL外延片转移到Si衬底上和采用底部出光的设计，便于拉近VCSEL外延片有源区与Si衬底的距离，改善器件热学特性，进一步提高单模输出功率。 |
| 公开日期 | 2010-10-27 |
| 申请日期 | 2008-09-03 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46463]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渠红伟,郑婉华,刘安金,等. 一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN101667715B. 2010-10-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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