窄发散角脊波导半导体激光器
文献类型:专利
作者 | 车相辉; 赵润; 曹晨涛; 陈宏泰; 宁吉丰; 张宇; 位永平; 郝文嘉; 王彦照; 林琳 |
发表日期 | 2017-08-29 |
专利号 | CN104466675B |
著作权人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 窄发散角脊波导半导体激光器 |
英文摘要 | 本发明公开了一种窄发散角脊波导半导体激光器,包括衬底层、缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱区、上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层;在缓冲层和N型限制层之间还设有扩展波导层,扩展波导层为N型InGaAsP材料,扩展波导层的厚度为0.2μm‑0.5μm,下波导层的厚度为0.05μm‑0.15μm,上波导层的厚度为0.05μm‑0.15μm,扩展波导层到多量子阱区的距离为1μm‑2μm;P型限制层和电极接触层设置在腐蚀阻挡层的纵向中部,构成脊波导;采用小球透镜封装。本发明减小了垂直发散角,提高耦合效率,温度特性能满足要求,工艺过程简化,提高芯片成品率,成本低廉。 |
公开日期 | 2017-08-29 |
申请日期 | 2014-12-15 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46474] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 车相辉,赵润,曹晨涛,等. 窄发散角脊波导半导体激光器. CN104466675B. 2017-08-29. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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