表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 关宝璐; 王强; 刘欣; 江孝伟; 马昀骅 |
| 发表日期 | 2016-04-06 |
| 专利号 | CN103618211B |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法，属于半导体光电子器件领域。包括垂直腔面发射激光器、带有取向膜的ITO玻璃和液晶盒。垂直腔面发射激光器从下到上为：N型背面电极、GaAs衬底、GaAs/AlGaAs交替生长的下DBR、有源区、GaAs/AlGaAs交替生长的上DBR，上DBR为凸台结构，台上中心位置从下到上是调谐电极、取向膜，台上边缘及台下部分从下往上为：SiO2绝缘层、P型注入电极和衬垫。带有取向膜的ITO玻璃结构从下到上依次为取向膜、调谐电极和玻璃。液晶盒中贮存有液晶。本发明通过改变调谐电压或者衬底温度来改变液晶层的折射率，引起上反射镜反射率的变化，实现对激光器输出光偏振状态的控制。 |
| 公开日期 | 2016-04-06 |
| 申请日期 | 2013-11-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46518]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 关宝璐,王强,刘欣,等. 表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN103618211B. 2016-04-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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