具有偏离有源区的错配位错的GaN基激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | R·巴特; D·兹佐夫 |
| 发表日期 | 2015-07-08 |
| 专利号 | CN103026561B |
| 著作权人 | 康宁股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 具有偏离有源区的错配位错的GaN基激光二极管 |
| 英文摘要 | 提供了一种GaN基边缘发射激光器，它包含半极性GaN衬底10、有源区20、N侧波导层30、P侧波导层40、N型包覆层50和P型包覆层60。GaN衬底的特征是穿透位错密度约为1×106/cm2。N侧波导层的应变-厚度积超过其应变弛豫临界值。此外，对于在弛豫的N侧波导层30上的生长，所计算的有源区20的累计应变-厚度积小于其应变弛豫临界值。结果，N型包覆层50与N侧波导层30之间的N侧界面70包含一组N侧错配位错75，而P型包覆层60与P侧波导层40之间的P侧界面80包含一组P侧错配位错85。 |
| 公开日期 | 2015-07-08 |
| 申请日期 | 2011-05-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46589]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 康宁股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | R·巴特,D·兹佐夫. 具有偏离有源区的错配位错的GaN基激光二极管. CN103026561B. 2015-07-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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