半导体激光器、其制造方法和电子器件的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡部义昭; 成井启修; 黑水勇一; 山内义则; 田中嘉幸 |
| 发表日期 | 2008-04-30 |
| 专利号 | CN100385757C |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器、其制造方法和电子器件的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种可以以如单横模的单峰光束进行激光振荡的面发射半导体激光器，和可以容易地以高成品率制造这样的激光器的制造方法。当在n型半导体衬底上形成具有柱型平台结构的面发射半导体激光器时，形成平台部分且直到p侧电极和n侧电极被形成。此后，跨p侧和n侧电极施加电压，且在提取输出光的同时激光器置于蒸汽气氛，由此在作为p型DBR层顶层的p型AlwGa1-wAs层上形成Al氧化物层，且形成如凹透镜的折射率分布。 |
| 公开日期 | 2008-04-30 |
| 申请日期 | 2005-06-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46603]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡部义昭,成井启修,黑水勇一,等. 半导体激光器、其制造方法和电子器件的制造方法. CN100385757C. 2008-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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