实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 郑婉华; 陈微; 张建心; 渠红伟; 付非亚 |
| 发表日期 | 2012-09-26 |
| 专利号 | CN102255240B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 一种实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构，包括：一砷化镓衬底；一光子晶体区域，该光子晶体区域制作在砷化镓衬底上，用来实现基模的大面积振荡；一过渡层，该过渡层制作在光子晶体区域上；一上限制层，该上限制层制作在过渡层上，用来限制光场向上的泄露；一接触层，该接触层制作在上限制层上，用来与金属形成上电极，这样便形成实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构。 |
| 公开日期 | 2012-09-26 |
| 申请日期 | 2011-06-02 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46647]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,陈微,张建心,等. 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构. CN102255240B. 2012-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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