半导体激光器件和光盘装置
文献类型：专利
| 作者 | 蛭川秀一; 河西秀典; 山本圭; 西本浩之 |
| 发表日期 | 2006-08-23 |
| 专利号 | CN1271760C |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器件和光盘装置 |
| 英文摘要 | 提供一种即使在高功率操作中仍高度可靠并具有长寿命的半导体激光器件，以及一种使用该半导体激光器件的光盘装置。一种具有大于760nm且小于800nm振荡波长的半导体激光器件，其中：在n型GaAs衬底(101)上，依次叠置有n型第一和第二下包层(103、104)，下波导层(105)、量子阱有源层(107)、上波导层(109)和p型上包层(110)。该量子阱有源层由按如下方式交替排列的两层InGaAsP压缩应变量子阱层和三层InGaAsP势垒层构成，该交替排列方式使n-侧势垒层存在于下波导层的一侧，且p-侧势垒层存在于上波导层的一侧。该n-侧势垒层具有130的厚度，以使空穴难以隧穿。该p-侧势垒层具有50的厚度，以促进空穴的隧穿。 |
| 公开日期 | 2006-08-23 |
| 申请日期 | 2004-03-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46656]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蛭川秀一,河西秀典,山本圭,等. 半导体激光器件和光盘装置. CN1271760C. 2006-08-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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