半导体激光器芯片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近江晋; 岸本克彦 |
| 发表日期 | 2014-08-27 |
| 专利号 | CN101276995B |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光器芯片及其制造方法，该方法能够抑制层中断，并且同时减少在水平方向上光辐射角的制造偏差。该方法包括在n型GaAs基板上形成半导体元件层的步骤，该半导体元件层由包括蚀刻标记层的多个半导体层组成；在该半导体元件层中的接触层中形成凹陷部分的步骤，该凹陷部分具有没有到达该蚀刻标记层的深度；以及通过干法蚀刻来蚀刻该半导体元件层且同时用激光监测在该凹陷部分的底区域中的蚀刻深度而形成脊部分的步骤。 |
| 公开日期 | 2014-08-27 |
| 申请日期 | 2008-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46701]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近江晋,岸本克彦. 半导体激光器芯片及其制造方法. CN101276995B. 2014-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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