发光二极管及半导体激光
文献类型：专利
| 作者 | 太田裕道; 折田政宽; 细野秀雄; 河村贤一; 猿仓信彦; 平野正浩 |
| 发表日期 | 2005-02-16 |
| 专利号 | CN1189952C |
| 著作权人 | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 发光二极管及半导体激光 |
| 英文摘要 | 虽可确认出于Sr2Cu2O2膜上成膜n型ZnO并显现出二极管特性，然而未能确认出来自二极管的发光。本发明是于显示出已层合于透明基板上的发光特性的n型ZnO层上，层合Sr2Cu2O2、CuAlO2或CuGaO2而成的p型半导体中的一种所形成的p-n接合而成为特征的半导体紫外线发光组件。透明基板为单晶基板，尤其以已平坦化成原子状的三氧化二钇部分安定化氧化锆(YSZ)(111)基板即可。于透明基板上，在基板温度200～1200℃成膜n型ZnO，再者于其上成膜由SrCu2O、CuAlO2或CuGaO2而成的p型半导体层。在不加热基板下，成膜n型ZnO层，照射紫外线至该ZnO膜上，亦可进行结晶化。 |
| 公开日期 | 2005-02-16 |
| 申请日期 | 2001-01-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46868]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田裕道,折田政宽,细野秀雄,等. 发光二极管及半导体激光. CN1189952C. 2005-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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