成膜方法和半导体激光器制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤贵幸; 森克己; 金子丈夫 |
| 发表日期 | 2001-04-25 |
| 专利号 | CN1065046C |
| 著作权人 | 精工爱普生株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 成膜方法和半导体激光器制造方法 |
| 英文摘要 | 光学膜厚测量方法和成膜方法是在基片上淀积多层膜时，把监测光照射到基片上，根据其反射强度的极值来测量膜厚。淀积的多层膜包括第１膜和第２膜，第１膜在规定波长范围内具有９８％以上的反射率；第２膜在上述第１膜上形成并且在上述规定波长范围内具有１０００cm＃+[-1]以下的吸收系数。再者，上述第１膜利用具有规定波长的第１监测光进行测量；上述第２膜利用波长与上述规定波长范围不同的第２监测光进行测量。 |
| 公开日期 | 2001-04-25 |
| 申请日期 | 1996-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46907]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 精工爱普生株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤贵幸,森克己,金子丈夫. 成膜方法和半导体激光器制造方法. CN1065046C. 2001-04-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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