掺钕硼酸钪锶钇激光晶体及其制备方法和用途
文献类型:专利
作者 | 林州斌; 王国富; 胡祖树; 张莉珍 |
发表日期 | 2006-06-14 |
专利号 | CN1259463C |
著作权人 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 掺钕硼酸钪锶钇激光晶体及其制备方法和用途 |
英文摘要 | 掺钕硼酸钪锶钇激光晶体及其制备方法和用途,涉及人工晶体领域,特别是涉及一种激光晶体掺钕硼酸钪锶钇(Nd3+:YSr6Sc(BO3)6)及其制备方法和用途。采用熔盐法,以Li6B4O9或LiBO2-LiF为助熔剂,在950~835℃温度区间内,以5~20转/分钟的晶体转速,1~4℃/天的降温速率,生长出了高质量、较大尺寸的Nd3+:YSr6Sc(BO3)6晶体。该晶体属三方晶系,R3空间群,密度为4.376g/cm3,折射率73。光谱计算表明,该晶体在808nm处有一强的吸收峰,吸收系数为2.71cm-1,半峰宽4.1nm,吸收截面47×10-20cm2,适合于采用激光二极管(LD)来泵浦;另外,其在波长1060nm有强的荧光发射峰,发射跃迁截面为814×10-20cm2,半峰宽28nm,易于产生波长为1060nm的激光输出,并有望获得实际应用。 |
公开日期 | 2006-06-14 |
申请日期 | 2002-08-08 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46913] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 林州斌,王国富,胡祖树,等. 掺钕硼酸钪锶钇激光晶体及其制备方法和用途. CN1259463C. 2006-06-14. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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