脊形波导半导体激光二极管及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 郭准燮; 赵济熙 |
| 发表日期 | 2005-08-31 |
| 专利号 | CN1217456C |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 脊形波导半导体激光二极管及其制作方法 |
| 英文摘要 | 提供了一种脊形波导半导体激光二极管及其制作方法。在半导体激光二极管中，其垂直于有源层的脊形突起部分制作在发生受激发射的第一和第二材料层之一上，第一和第二材料层分别形成在有源层的上面和下面，其折射率低于有源层，半导体激光二极管经脊形部分与一个电极接触，其中的脊形部分的侧面至少做成不同梯度的两部分。 |
| 公开日期 | 2005-08-31 |
| 申请日期 | 2001-08-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46918]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭准燮,赵济熙. 脊形波导半导体激光二极管及其制作方法. CN1217456C. 2005-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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