多有源区高效率光电子器件
文献类型：专利
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| 作者 | 沈光地; 马莉 |
| 发表日期 | 2013-12-18 ; 2013-12-18 |
| 专利号 | CN203351641U ; CN203351641U |
| 著作权人 | 沈光地 ; 沈光地 |
| 国家 | 中国 ; 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 ; 实用新型 |
| 其他题名 | 多有源区高效率光电子器件 ; 多有源区高效率光电子器件 |
| 英文摘要 | 一种多有源区高效率光电子器件，属于半导体光电子领域，其特征是在多有源区光电子器件中引入间接隧穿结构，通过间接隧穿结构将多个发光单元连接起来，增加了载流子的隧穿几率，成倍地提高了器件的量子效率。该器件结构可用于发光二极管、半导体激光器、多层结构带间探测器、超辐射发光二极管等。; 一种多有源区高效率光电子器件，属于半导体光电子领域，其特征是在多有源区光电子器件中引入间接隧穿结构，通过间接隧穿结构将多个发光单元连接起来，增加了载流子的隧穿几率，成倍地提高了器件的量子效率。该器件结构可用于发光二极管、半导体激光器、多层结构带间探测器、超辐射发光二极管等。 |
| 公开日期 | 2013-12-18 ; 2013-12-18 |
| 申请日期 | 2013-04-23 ; 2013-04-23 |
| 状态 | 失效 ; 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46919]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沈光地 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈光地,马莉. 多有源区高效率光电子器件, 多有源区高效率光电子器件. CN203351641U, CN203351641U. 2013-12-18, 2013-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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