面発光半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石井 亮次; 中山 秀生; 村上 朱実; 向山 尚孝; 桑田 靖章 |
| 发表日期 | 2011-09-16 |
| 专利号 | JP4821961B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 VCSELのレーザ特性の劣化を防止し高寿命の樹脂封止された面発光型半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体レーザ装置1は、メサ12と、メサ12の周囲に形成されたトレンチ溝14によってメサ12から隔離された外周部16を含むVCSELと、トレンチ溝14内に充填された透光性の樹脂18とを備えている。トレンチ溝14内の樹脂の熱応力を緩和するため、メサ12と対向する外周部16の側壁に基板と垂直方向に延在する複数の溝20が形成されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2011-11-24 |
| 申请日期 | 2005-06-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46926]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石井 亮次,中山 秀生,村上 朱実,等. 面発光半導体レーザ装置およびその製造方法. JP4821961B2. 2011-09-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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