多波长激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 张泰盛; 崔熙石; 曹相德; 全东珉 |
| 发表日期 | 2009-03-25 |
| 专利号 | CN100472899C |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 多波长激光二极管 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种多波长激光二极管，其中振荡结构包括半导体衬底以及在半导体衬底上依次形成的半导体衬底和下覆层、有源层以及脊部；在包括脊部的一端的振荡结构的第一表面上形成的第一金属层，以及第一金属层由在至少预定波长的第一波长范围中具有高反射率的金属制成。在第一金属层上形成的第二金属层，第二金属层由在预定波长下的第二波长范围中具有高反射率的金属制成。多波长激光二极管可以改进反射层结构，以在全部可见光范围中实现高反射率。 |
| 公开日期 | 2009-03-25 |
| 申请日期 | 2004-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46990]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张泰盛,崔熙石,曹相德,等. 多波长激光二极管. CN100472899C. 2009-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。