半导体装置
文献类型:专利
| 作者 | 相泽秀邦; 伊泽久隆; 松田武彦 |
| 发表日期 | 2008-08-13 |
| 专利号 | CN100411261C |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体装置 |
| 英文摘要 | 提供了一种半导体装置,其能够在适应各种电路时实现部件的共用而不增大装置尺寸或降低引线键合的可靠性。半导体激光装置包括:外壳(1),其具有形成在两侧的元件安装部分(1A,1B);安装在一侧的元件安装部分(1A)中的半导体激光元件(7);安装在另一侧的元件安装部分(1B)中的光电二极管(11);以及通过连线(8)连接到半导体激光元件(7)或光电二极管(11)的多条引线(3,4,5,6),其中引线(5)的焊盘部分(5B)从元件安装部分(1A,1B)暴露在外壳(1)的一侧和另一侧的不同位置上,从而使暴露的部分能够用作引线键合的连接部分,由此使得对于引线(5)的焊盘(5B),引线键合能够从外壳(1)的任意一侧被适当地执行。 |
| 公开日期 | 2008-08-13 |
| 申请日期 | 2003-08-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46999] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 相泽秀邦,伊泽久隆,松田武彦. 半导体装置. CN100411261C. 2008-08-13. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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