氮化物半导体激光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 神川刚; 金子佳加 |
| 发表日期 | 2008-12-03 |
| 专利号 | CN100440657C |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 公开了一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，该发光器件包括：其至少部分表面由氮化物半导体构成的氮化物半导体基板；及叠置于氮化物半导体基板表面上的氮化物膜半导体生长层，其中在氮化物半导体基板表面上形成具有106cm-2或更小缺陷密度的低缺陷区域，并另外形成有呈现凹部形状的挖入区域，而且，在凹部的截面图中测量的凹部的侧面部分与其底面部分的延长线之间的角度即刻蚀角θ在75°≤θ≤140°的范围内。这防止了裂纹的产生，并减少自挖入区域的底部生长部分的蠕升生长，因而减小侧部生长部分的膜厚。这使得可以高合格率地制造出具有良好表面平坦度的氮化物半导体生长层的氮化物半导体激光器件。 |
| 公开日期 | 2008-12-03 |
| 申请日期 | 2005-01-05 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47052]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川刚,金子佳加. 氮化物半导体激光器件及其制造方法. CN100440657C. 2008-12-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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