一种半导体激光器腔面钝化的方法
文献类型：专利
| 作者 | 徐晨; 沈光地; 舒雄文; 田增霞; 陈建新; 高国 |
| 发表日期 | 2008-05-14 |
| 专利号 | CN100388573C |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器腔面钝化的方法 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体激光器领域。包括以下步骤：半导体激光器在空气中解理成条后装入夹具后放入电子束蒸发真空室；离子预清洗，即在电子束蒸发的真空室中用能量小于100eV的低能大束流离子无损除去在空气中解理的腔面上的氧化物和杂质及其形成的表面态和界面态这些非辐射复合中心；前腔面(4)进行离子预清洗30秒到6分钟；用电子束蒸发方式在前腔面(4)蒸镀ZnSe或ZnS宽禁带低吸收材料作为钝化阻挡层(3)；前腔面(4)镀增透膜(1)；夹具翻面对后腔面(5)进行上述离子预清洗30秒到6分钟；电子束蒸发方式在后腔面(5)蒸镀ZnSe或ZnS；在后腔面(5)镀高反膜(2)。本发明钝化膜性能稳定，提高了可靠性，方法简单，适用于不同波长或结构的激光器。 |
| 公开日期 | 2008-05-14 |
| 申请日期 | 2005-04-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47108]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐晨,沈光地,舒雄文,等. 一种半导体激光器腔面钝化的方法. CN100388573C. 2008-05-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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