半导体激光元件、其安装结构、其制造方法及其安装方法
文献类型：专利
| 作者 | 宫嵜启介 |
| 发表日期 | 2012-06-27 |
| 专利号 | CN101022207B |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光元件、其安装结构、其制造方法及其安装方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体激光元件、半导体激光元件的安装结构、半导体激光元件的制造方法以及半导体激光元件的安装方法。在N型GaAs衬底(2)上，形成N型GaAs缓冲层(4)、N型GaInP中间层(6)、N型AlGaInP包层(8)、非掺杂MQW有源层(10)、P型AlGaInP包层(12)、P型AlGaInP包层(14)、P型GaAs盖层(16)。P型包层(14)以及P型盖层(16)在脊部(15)上形成。窄幅部(17)在N型衬底(2)的上部及所述各层中形成，在脊部(15)的侧面、窄幅部(17)的表面、和N型衬底(2)的台阶部(2a)的表面形成SiO2膜(18)。在脊部(15)和窄幅部(17)的表面形成的SiO2膜(18)的上面形成P侧电极层(23)。 |
| 公开日期 | 2012-06-27 |
| 申请日期 | 2007-01-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47122]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宫嵜启介. 半导体激光元件、其安装结构、其制造方法及其安装方法. CN101022207B. 2012-06-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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