一种半导体激光器直接倍频装置
文献类型：专利
| 作者 | 孟慧成; 阮旭; 谭昊; 杜维川; 余俊宏; 王昭; 吴华玲; 高松信; 武德勇 |
| 发表日期 | 2016-06-15 |
| 专利号 | CN205319505U |
| 著作权人 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器直接倍频装置 |
| 英文摘要 | 本实用新型提供了一种半导体激光器直接倍频装置，该方案为半导体激光器发射出的激光束依次经过光谱合束及压窄机构、隔离器、耦合透镜、TEC温度控制模块、非线性倍频晶体和第二耦合输出镜后输出。该方案能够实现每个合束单元波长的锁定压窄和模式选择，同时将发光单元激光束空间近场和远场重叠成一束输出，极大的改善合束之后的光束质量，于是实现了高功率输出条件下实现高光束质量输出，对应的锁定光谱具有很高的谱亮度。 |
| 公开日期 | 2016-06-15 |
| 申请日期 | 2015-10-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47125]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孟慧成,阮旭,谭昊,等. 一种半导体激光器直接倍频装置. CN205319505U. 2016-06-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。