半导体制造方法及半导体激光元件制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本圭; 中村淳一 |
| 发表日期 | 2009-07-08 |
| 专利号 | CN100511590C |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体制造方法及半导体激光元件制造方法 |
| 英文摘要 | 在使未掺杂Mg的III-V族化合物半导体层结晶生长之后，在使Mg掺杂III-V族化合物半导体层结晶生长之前，设置了不从III族元素原料容器向反应区域(反应炉)供给III族元素原料TMG、TMA、TMI，另一方面从V族元素原料容器、掺杂物原料容器向反应区域(反应炉)分别供给V族元素原料PH3、Mg掺杂物原料的预流期间t11、t12。根据该半导体制造方法，能够正确控制Mg的掺杂分布图。 |
| 公开日期 | 2009-07-08 |
| 申请日期 | 2007-07-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47151]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本圭,中村淳一. 半导体制造方法及半导体激光元件制造方法. CN100511590C. 2009-07-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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