桥式-纳米光栅可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 关宝璐; 郭霞; 任秀娟; 李硕; 李川川; 郝聪霞 |
| 发表日期 | 2012-06-13 |
| 专利号 | CN102013633B |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 桥式-纳米光栅可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 基于表面纳米光栅的波长可调谐垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为空气隙层(12)、砷化镓层(2a)、铝砷化镓层(2b)，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8a)、n型砷化镓层(8b)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，纳米光栅(15)位于砷化镓层(2a)表面之上。由于空气隙层的厚度可以通过静电力等机械调整，因此使得激光器谐振腔内部传输光子相位变化，同时输出的光束经过纳米光栅(15)，从而实现波长和偏振的同时控制。 |
| 公开日期 | 2012-06-13 |
| 申请日期 | 2010-10-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47159]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 关宝璐,郭霞,任秀娟,等. 桥式-纳米光栅可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN102013633B. 2012-06-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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