多光束半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 东条刚; 日野智公; 后藤修; 矢吹义文; 安斋信一; 内田史朗; 池田昌夫 |
| 发表日期 | 2007-03-14 |
| 专利号 | CN1305193C |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 多光束半导体激光器 |
| 英文摘要 | 提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器(40)是GaN为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条(42A、42B、42C和42D)。各激光振荡区(42A至42D)设置有一个位于形成于蓝宝石衬底(44)上的台面式结构(46)上的p型共用电极(48)，并分别具有有源区(50A、50B、50C和50D)。两个n型电极(52A和52B)设置在一n型GaN接触层(54)上，并且作为共用电极与p型共用电极(48)相对设置在台面式结构(46)的两侧。激光条(42A)与激光条(42D)之间的距离A不大于100μm。激光条(42A)与n型电极(52B)之间的距离B1不大于150μm，同时激光条(42D)与n型电极(52A)之间的距离B2不大于150μm。 |
| 公开日期 | 2007-03-14 |
| 申请日期 | 2002-06-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47172]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 东条刚,日野智公,后藤修,等. 多光束半导体激光器. CN1305193C. 2007-03-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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