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外腔半导体激光器

文献类型:专利

作者臧二军; 赵阳; 李烨; 曹建平; 方占军
发表日期2013-11-06
专利号CN101958510B
著作权人中国计量科学研究院
国家中国
文献子类授权发明
其他题名外腔半导体激光器
英文摘要本发明公开一种外腔半导体激光器,在半导体激光器外腔的主光路中主要布设有:光学谐振腔、光学隔离器和1/2波片;所述半导体激光管发出的光束能够经第一1/2波片正向通过光学隔离器,所述半导体激光器的经谐振腔透射的光束经第二1/2波片后反向通过光学隔离器,使此后沿着与原出射光束共线反向的路径返回到半导体激光管中。本发明在通过相对简单的装置解决了常规外腔半导体激光器谱线较宽的问题。
公开日期2013-11-06
申请日期2010-07-07
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47181]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国计量科学研究院
推荐引用方式
GB/T 7714
臧二军,赵阳,李烨,等. 外腔半导体激光器. CN101958510B. 2013-11-06.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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