氮化物半导体发光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 神川刚; 山田英司; 荒木正浩; 金子佳加 |
| 发表日期 | 2012-04-11 |
| 专利号 | CN1581610B |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种氮化物半导体激光器件，其使用低缺陷密度的基板，在氮化物半导体膜内含有很小的应变，从而使其具有令人满意的长的使用寿命，在缺陷密度为106cm-2或更低的GaN基板(10)上通过蚀刻形成条形凹陷部分(16)。在该基板(10)上生长氮化物半导体膜(11)，在远离凹陷部分(16)上方的区域中形成激光条(12)。使用这样的结构时，激光条(12)中没有应变，半导体激光器件具有长的使用寿命。另外，氮化物半导体膜(11)形成的裂隙很少，从而能够大幅提高产率。 |
| 公开日期 | 2012-04-11 |
| 申请日期 | 2004-07-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47187]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川刚,山田英司,荒木正浩,等. 氮化物半导体发光器件及其制造方法. CN1581610B. 2012-04-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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