半導体多層膜反射鏡
文献类型：专利
| 作者 | 坂 貴; 廣谷 真澄; 加藤 俊宏; 諏澤 寛源 |
| 发表日期 | 1999-09-03 |
| 专利号 | JP2973612B2 |
| 著作权人 | 大同特殊鋼株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体多層膜反射鏡 |
| 英文摘要 | 【構成】 n-AlAs半導体およびn-GaAs半導体を交互に積層した半導体多層膜反射鏡において、それ等のn-AlAs半導体およびn-GaAs半導体の厚さをTA ,TG 、屈折率をnA ,nG 、反射すべき光の中心波長をλB とした時、光学的厚さ(nA TA +nG TG )をλB /2に保持しつつ、光学的厚さnG TG をλB /4より小さくするとともに、その分だけ光学的厚さnA TAをλB /4より大きくした。 【効果】 nG TG =λB /4の(a)に比較して、nG TG =(λB /4)×(3/4)の(b),nG TG =(λB /4)×(1/2)の(c),nG TG =(λB /4)×(1/3)の(d)では、中心波長λB (=880nm)よりも短波長側の波長域Qにおける反射率が向上している。 |
| 公开日期 | 1999-11-08 |
| 申请日期 | 1991-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47210]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 大同特殊鋼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 坂 貴,廣谷 真澄,加藤 俊宏,等. 半導体多層膜反射鏡. JP2973612B2. 1999-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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