半導体レーザー及び発光ダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 奥山 浩之; 秋本 克洋 |
| 发表日期 | 2002-07-12 |
| 专利号 | JP3326833B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザー及び発光ダイオード |
| 英文摘要 | 【目的】 ZnMgSSeなどのMgを含むII-VI族化合物半導体をクラッド層の材料として用いた、青色ないし緑色で発光が可能な半導体レーザーを実現する。 【構成】 n型GaAs基板1上にn型ZnSeバッファ層2を介してn型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッド層3、n型ZnSp Se1-p 光導波層4、Zn1-z Cdz Se活性層5、p型ZnSp Se1-p 光導波層6及びp型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッド層7を順次積層して半導体レーザーを構成する。 |
| 公开日期 | 2002-09-24 |
| 申请日期 | 1992-10-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47211]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,秋本 克洋. 半導体レーザー及び発光ダイオード. JP3326833B2. 2002-07-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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