半導体素子を形成する方法
文献类型：专利
| 作者 | 京野 孝史; 上野 昌紀; 秋田 勝史 |
| 发表日期 | 2009-10-16 |
| 专利号 | JP4389723B2 |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子を形成する方法 |
| 英文摘要 | 【課題】量子井戸構造内の界面の急峻性に優れた半導体素子を提供する。 【解決手段】半導体素子1は、量子井戸構造を有する活性領域3を含む。活性領域3は、井戸領域5とバリア領域7とを含む。井戸領域5は、窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII-V化合物半導体から成る。バリア領域7aは、第1の半導体層9aおよび第2の半導体層11aを有する。第1の半導体層9aは、少なくとも窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII-V化合物半導体から成る。第2の半導体層11aは、少なくとも窒素およびガリウムを含むIII-V化合物半導体から成る。第1の半導体層9aは、第2の半導体層11aと井戸領域5との間に設けられている。第1の半導体層9aのインジウム組成は、第2の半導体層11aのインジウム組成より小さい。第1の半導体層9aのインジウム組成は、井戸領域5のインジウム組成より小さい。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2009-12-24 |
| 申请日期 | 2004-08-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47221]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 京野 孝史,上野 昌紀,秋田 勝史. 半導体素子を形成する方法. JP4389723B2. 2009-10-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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