面発光半導体レーザ及びそれを用いたレーザシステム
文献类型:专利
| 作者 | 吉川 明彦; 小林 正和; 水井 順一; 山越 英男 |
| 发表日期 | 2004-07-02 |
| 专利号 | JP3572151B2 |
| 著作权人 | 吉川 明彦 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザ及びそれを用いたレーザシステム |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザの大出力化、レーザ光断面強度分布の均一大型化と縦横長さの同一化、レーザ波面の単一平面化、発散角の低減を満足し、さらにレーザ素子の製造が簡易で、システムの構成も容易となり、更に冷却効率も向上するように図ったる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 面発光半導体レーザ素子要素100は、透明且つ導電性基板101の一方の表面側に無反射コート膜102を設けると共に、他方の表面側には上部クラッド層103aと下部クラッド層103bとで活性層104を挟んだクラッド層105を設け、上記下部クラッド層103bの下面側には導電性の反射鏡106及び下部電極107を順次設けてなる。 |
| 公开日期 | 2004-09-29 |
| 申请日期 | 1996-09-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47234] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 吉川 明彦 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉川 明彦,小林 正和,水井 順一,等. 面発光半導体レーザ及びそれを用いたレーザシステム. JP3572151B2. 2004-07-02. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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