GaAs/AlGaAs半導体構造のミラーファセットをエッチングする方法
文献类型：专利
| 作者 | ペーテル·ブーフマン; ハンス―ペーテル·デイードリツヒ; ペーテル·フエイガー |
| 发表日期 | 1997-10-31 |
| 专利号 | JP2711336B2 |
| 著作权人 | インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレーション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | GaAs/AlGaAs半導体構造のミラーファセットをエッチングする方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE: To provide a high-quality mask for an IBE treatment by using a master sandwiching an etching dielectric material layer between resist layers, removing the intermediate layer before etching, and making the lower resist of high etching resistance into only one mask. CONSTITUTION: A multilayer GaAs/AlGaAs layer body structure 11 completing mirror facet etching preparation is covered with the mask of three layers of hard bake resist/amorphous SiO2 /prebaked resist and patterned on upper resist PRtop and a mirror groove is formed. Next, RIE is performed in the exposed part of an SiO2 layer in CF4 plasma, the exposed part of a lower resist layer PRbot is etched by switching into O2 , and at the same time, the PRtop is removed as well. By switching it to CF again, the remaining part of the SiO layer is removed. Next, etching is performed by a high vacuum CAIBE device, and an etching groove 19 is provided in the deep part of a lower clad layer in laser structure. Finally, the remaining PRbot is removed and washed in O2 plasma, and etching of a mirror facet 20 in III and V compound semiconductor structure is completed. |
| 公开日期 | 1998-02-10 |
| 申请日期 | 1989-08-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47267]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレーション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ペーテル·ブーフマン,ハンス―ペーテル·デイードリツヒ,ペーテル·フエイガー. GaAs/AlGaAs半導体構造のミラーファセットをエッチングする方法. JP2711336B2. 1997-10-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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