窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 冨岡 聡; 成井 啓修; 岡野 展賢 |
| 发表日期 | 2004-04-16 |
| 专利号 | JP3543628B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を成長させる際に、Inの脱離を抑制することで結晶性を向上させ長寿命化、波長揺らぎの安定化を図ることができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 Bx Aly Ga1-x-y-z Inz Nを活性層7とし、その下地層に当たる第1の光導波層をn型Bu Alv Ga1-u-v N光導波層6とする。活性層7は、GaInNの成長に用いられる第1の原料(TMG、TMI、NH3 )に、Bを含む第2の原料(TEB)および/またはAlを含む第3の原料(TMA)を混入して成長を行うことにより形成し、光導波層6は、GaNの成長時に、GaNの成長に用いられる第4の原料(TMG、NH3 )に、Bを含む第5の原料(TEB)および/またはAlを含む第6の原料(TMA)を混入して成長を行うことによりSCH構造のGaN系半導体レーザを形成する。 |
| 公开日期 | 2004-07-14 |
| 申请日期 | 1998-08-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47280]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨岡 聡,成井 啓修,岡野 展賢. 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子の製造方法. JP3543628B2. 2004-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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