光電子集積回路装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥洞 明彦; 田中 清嗣; 平林 崇之 |
| 发表日期 | 2005-04-22 |
| 专利号 | JP3668979B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光電子集積回路装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高速動作が可能で信頼性も高い光電子集積回路装置を容易にしかも高い生産性で製造する。 【構成】 GaAs基板1上にエッチングストッパー膜2を介してp型コンタクト層3、p型クラッド層4、活性層5、n型クラッド層6およびn型コンタクト層7を順次形成し、n型コンタクト層7上にn側電極8およびバリアメタル膜9を形成した後、各レーザーダイオード間の部分の層を無選択エッチングにより除去してGaAs基板1に達する素子分離溝10を形成する。次に、電子回路部12およびバンプメッキ電極13が形成されたSi基板11上にGaAs基板1をフリップチップ実装した後、GaAs基板1をその裏面側からエッチングストッパー膜2を用いて選択エッチングすることにより除去し、各レーザーダイオードを分離する。 |
| 公开日期 | 2005-07-06 |
| 申请日期 | 1993-08-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47282]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥洞 明彦,田中 清嗣,平林 崇之. 光電子集積回路装置の製造方法. JP3668979B2. 2005-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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