出力波長可変型光レジスタメモリ
文献类型：专利
| 作者 | 津田 裕之; 黒川 隆志; 岩村 英俊; 植之原 裕行 |
| 发表日期 | 1998-06-19 |
| 专利号 | JP2793382B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 出力波長可変型光レジスタメモリ |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 入射光波長に対する光レジスタメモリの感度特性を自由に設計できると同時に出射波長を任意にかつ高速に制御できる双安定半導体レーザと光ゲートを集積した波長変換光レジスタメモリを提供する。 【構成】 可飽和吸収部、利得部、DBRミラー部、位相調整部からなる双安定半導体レーザの可飽和吸収部L3に垂直又は所定角度を持って交差する光導波路G1を有し、双安定半導体レーザの片端に光ゲート部G2を設けたことを特徴とする波長変換光レジスタメモリである。前記光導波路部は、DFB構造あるいはDBR構造を持ち、入射波長選択性を鋭くかつ可変構成にした。また、前記光導波路の上面又は下面から光を導波路に結合するグレーティングあるいはミラー構造を付加した。また、複数の前記波長変換光レジスタメモリを同一基板上に配置した。前記双安定半導体レーザは、活性層104に多重量子井戸(MQW)構造を用いた。 |
| 公开日期 | 1998-09-03 |
| 申请日期 | 1991-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47287]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 津田 裕之,黒川 隆志,岩村 英俊,等. 出力波長可変型光レジスタメモリ. JP2793382B2. 1998-06-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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