半導体発光素子の製法
文献类型：专利
| 作者 | 尺田 幸男 |
| 发表日期 | 2002-07-05 |
| 专利号 | JP3325713B2 |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製法 |
| 英文摘要 | 【目的】 格子定数の不整合および熱膨張係数の差に基づく結晶欠陥や転位の発生を抑制し、工数を短縮することができる半導体発光素子の製法を提供する。 【構成】 基板1上に少なくともn型層3、4とp型層6、7を有し、発光部(活性層)5を形成するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、積層後N2 雰囲気にするとともに周囲温度を、GaAs系化合物半導体を気相成長することができ、かつ、前記チッ化ガリウム系化合物半導体層のp型層をアニールすることができる温度まで下げ、前記チッ化ガリウム系化合物半導体層の表面にMgがそれぞれドープされたGaAs、GaP、InAsまたはInPなどの保護膜10をN2 雰囲気中で成膜するとともに前記チッ化ガリウム系化合物半導体層のp型層をアニールし、そののち前記保護膜をエッチング除去する。 |
| 公开日期 | 2002-09-17 |
| 申请日期 | 1994-08-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47293]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尺田 幸男. 半導体発光素子の製法. JP3325713B2. 2002-07-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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