埋め込み構造半導体光導波路素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 友章 |
| 发表日期 | 1999-04-23 |
| 专利号 | JP2917787B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 埋め込み構造半導体光導波路素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 pn接合での逆方向漏れ電流を抑制し、半導体光導波路素子の素子特性と信頼性を向上させる。 【構成】 (100)n-InP基板内1上に光変調器とDFBレーザをメサエッチングとMOVPE成長技術を用いて形成する。メサストライプの方向は〔011〕とし、(a)に示すような成長阻止マスク106を用いて選択成長により、半導体層108〜112を形成する。このとき成長層の側面が(111)B面となる。成長阻止マスク106の開口部105をDFBレーザ部と光変調器部で幅をかえて広げ、再度選択MOVPEによりアンドープInP電界緩和層113、p-InP埋め込み層114、p+ -InGaAs115コンタクト層を形成する。 |
| 公开日期 | 1999-07-12 |
| 申请日期 | 1993-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47309]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 友章. 埋め込み構造半導体光導波路素子およびその製造方法. JP2917787B2. 1999-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。