GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体膜
文献类型：专利
| 作者 | 砂川 晴夫; 碓井 彰 |
| 发表日期 | 2000-12-15 |
| 专利号 | JP3139445B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体膜 |
| 英文摘要 | 【課題】 成長するIII-V族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。 【解決手段】 マスク14により成長領域13を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりIII-V族化合物半導体膜15のファセット構造を形成し(b)、マスク14を覆うまでファセット構造を発達させる(c)。さらに、ファセット構造を完全に埋め込む(d)。最終的に平坦な表面を有するIII-V族化合物半導体成長層を形成する(e)。 |
| 公开日期 | 2001-02-26 |
| 申请日期 | 1998-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47313]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 砂川 晴夫,碓井 彰. GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体膜. JP3139445B2. 2000-12-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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