氮化物半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 长谷川义晃; 横川俊哉; 石桥明彦 |
| 发表日期 | 2008-08-13 |
| 专利号 | CN100411265C |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，它包括：由氮化物半导体构成的基板；与上述基板的上表面相接连地形成、由含p型杂质的氮化物半导体构成的半导体层；在上述半导体层之上形成、由含第1导电型杂质的氮化物半导体构成的第1包层；在上述第1包层之上形成的活性层；在上述活性层之上形成、由含第2导电型杂质的氮化物半导体构成的第2导电型包层。 |
| 公开日期 | 2008-08-13 |
| 申请日期 | 2005-06-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47374]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 长谷川义晃,横川俊哉,石桥明彦. 氮化物半导体发光元件. CN100411265C. 2008-08-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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