窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 雅文; 細羽 弘之; 兼岩 進治; ▲吉▼田 智彦; 大林 健; 幡 俊雄; 須山 尚宏 |
| 发表日期 | 2000-01-21 |
| 专利号 | JP3025760B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 p型InGaAlN層において格子欠陥がなく、かつキャリア濃度およびp型層の層厚の制御が容易である窒化ガリウム系半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に、第1導電型のクラッド層と、発光層と、第2導電型のクラッド層とが積層された窒化ガリウム系半導体レーザ素子であり、第2導電型のクラッド層をエッチングにより形成したリッジ構造を持つことを特徴とするものである。さらに、第2導電型のクラッド層は、p型In1-x(GayAl1-y)xN層(O1,Oy1)であり、窒素原子を含有するガスと、III族原子を含有するガスとを交互に成長面に供給して成長させた層であることを特徴とするものである。 |
| 公开日期 | 2000-03-27 |
| 申请日期 | 1992-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47380]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 雅文,細羽 弘之,兼岩 進治,等. 窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法. JP3025760B2. 2000-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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