Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen
文献类型：专利
| 作者 | HAYASHI HIROSHI; MATSUI,SADAYOSHI; MATSUMOTO MITSUHIRO; TANEYA,MOTOTAKA |
| 发表日期 | 1989-08-10 |
| 专利号 | DE3535046C2 |
| 著作权人 | SHARP K.K. |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen |
| 英文摘要 | Das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelementes enthält folgende Schritte: Ausbilden eines dünnen Halbleiterfilmes, der kein Aluminium enthält, auf einer ersten Halbleiterschicht, die Aluminium enthält; 2. Ausbilden eines oder mehrerer Kanäle auf dem dünnen Halbleiterfilmund zwar so, daß der Kanal bzw. die Kanäle durch die erste Halbleiterschicht reichen bzw. durch sie hindurchgehen, was zu einem Substrat mit einemoder mehreren Kanälen führt, für das nachfolgende Kristallwachstum darauf; und 3. Ausführen eines epitaktischen Aufwachsens kristalliner Schichtenauf dem Substrat mit dem Kanal bzw. den Kanälen durch Verwendung einer Kristallwachstumslösung mit einer Supersättigung, welche hoch genug ist,ein Rückschmelzen der ersten Halbleiterschicht zu verhindern. |
| 公开日期 | 1989-08-10 |
| 申请日期 | 1985-10-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47384]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP K.K. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HAYASHI HIROSHI,MATSUI,SADAYOSHI,MATSUMOTO MITSUHIRO,et al. Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen. DE3535046C2. 1989-08-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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