GaN系結晶膜の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 茂稔; 近江 晋 |
| 发表日期 | 2009-10-16 |
| 专利号 | JP4390090B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | GaN系結晶膜の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 GaN系半導体デバイスの結晶成長用に適し、欠陥密度の低い高品質のGaN系結晶連続膜を備えた結晶基板とその製造方法を提供する。 【解決手段】 本結晶基板には表面がC面のサファイア基板101上にGaNバッファ層102、エピタキシャル成長GaN層103、及びSiO2膜104が順次形成された基体10上に、複数の島状GaN系結晶11と、その上に形成されたGaN系結晶連続膜12とを備えている。GaN層103の表面に複数の開口部105を有するSiO2膜104を真空蒸着やCVD法で形成後、NH3とN2の混合雰囲気中でGaN粉末原料を昇華させ、基体上の該開口部105にGaN系化合物を選択再結晶化させることにより、複数の島状GaN系結晶11を得る第1の結晶成長工程と、該結晶11を核としてGaN系結晶を形成することにより、GaN系結晶連続膜12を得る第2の結晶成長工程とから成る。 |
| 公开日期 | 2009-12-24 |
| 申请日期 | 1998-05-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47386]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 茂稔,近江 晋. GaN系結晶膜の製造方法. JP4390090B2. 2009-10-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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