발명의 명칭 질화물 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법
文献类型：专利
| 作者 | MASUI, SHINGO |
| 发表日期 | 2013-12-24 |
| 专利号 | KR101346992B1 |
| 著作权人 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 |
| 国家 | 韩国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 발명의 명칭 질화물 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 |
| 英文摘要 | 본 발명은 질화물 반도체 레이저의 횡 모드를 안정화시켜, 저임계값의 질화물 반도체 레이저 소자와 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 기판과, 그 기판 상에 적층되고, 그 표면에 릿지를 갖는 질화물 반도체층과, 적어도릿지 양측의 질화물 반도체층 표면을 피복하는 제1 보호막과, 릿지 상 및 제1 보호막 상에 형성된 전극을 구비한질화물 반도체 레이저 소자로서, 상기 릿지 양측의 질화물 반도체층 상으로서, 제1 보호막과 전극 사이에공극이, 혹은 제1 보호막과 전극으로 둘러싸인 공극이 배치되어 있는 질화물 반도체 레이저 소자. |
| 公开日期 | 2014-01-02 |
| 申请日期 | 2007-03-19 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47408]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MASUI, SHINGO. 발명의 명칭 질화물 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법. KR101346992B1. 2013-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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