光信号増幅素子
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 敏夫; 神徳 正樹; 曲 克昭 |
| 发表日期 | 2001-12-21 |
| 专利号 | JP3262298B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光信号増幅素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 光導波路としてバリアの高いものを利用しつつ、光増幅器への電流注入を容易にする光信号増幅素子を得る。 【構成】 半導体基板302と、該基板上に形成された少なくとも光導波層を有する光導波路と、該光導波路上に装荷された少なくとも活性層と電流を注入する電極とを有する光増幅器から構成される光信号増幅素子において、前記光導波路103が多重量子井戸構造から形成され、そのバリア層の電子もしくは正孔に対する障壁の高さがクラッド層よりも高い材料からなり、前記光増幅器の活性層104の片側にn型の半導体層105、逆側にp型の半導体層106を有する。前記バリア層として、InGaAlAsまたはInAlAsを用いる。前記光増幅器の活性層の上に高抵抗層または絶縁層を有する。 |
| 公开日期 | 2002-03-04 |
| 申请日期 | 1993-06-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47419]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 敏夫,神徳 正樹,曲 克昭. 光信号増幅素子. JP3262298B2. 2001-12-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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