半導体構造体および半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 横川 俊哉; 吉井 重雄 |
| 发表日期 | 2003-09-26 |
| 专利号 | JP3475637B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体構造体および半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 II-VI族半導体レーザ等の低コンタクト抵抗のp型オーム性電極構造体を提供する。 【解決手段】 ZnSe系II-VI族半導体を用いた青色半導体レーザである。Siをドープしたn型GaAs基板11上に、Clをドープしたn型ZnSe層12、Clをドープしたn型ZnSSeクラッド層13、Clをドープしたn型ZnMgSSeクラッド層14、Clをドープしたn型ZnSSe光導波層15、ZnCdSe活性層16、Nをドープしたp型ZnSSe光導波層17、Nをドープしたp型ZnMgSSeクラッド層18、Nをドープしたp型ZnSSe層19、Nをドープしたp型ZnSe層110、アモルファスTe層111、絶縁層112である。Teアモルファス層111をコンタクト層に用いることにより、低いコンタクト抵抗が得られる。 |
| 公开日期 | 2003-12-08 |
| 申请日期 | 1996-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47426]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 横川 俊哉,吉井 重雄. 半導体構造体および半導体装置の製造方法. JP3475637B2. 2003-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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