複合光デバイスの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 大輔; 木村 達也; 瀧口 透 |
| 发表日期 | 2005-12-16 |
| 专利号 | JP3752369B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 複合光デバイスの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザダイオードと光デバイスとの間の結合効率が良好な複合光デバイスとその製造方法を提供する。 【解決手段】 化合物半導体基板の(001)面上に第1のクラッド層を介して形成された活性層を含んで構成された第1のメサ半導体層を備えたレーザダイオードと、該(001)面上に第2のクラッド層を介して形成された光導波層を含んで構成された第2のメサ半導体層を備えた光デバイスとが、接続されてなる複合光デバイスであって、上記活性層の一端面と上記光導波層の一端面とを、第2の半導体層をHClの雰囲気で成長させることにより上記第2のクラッド層の膜厚より小さい間隔で互いに対向するよう形成した。 |
| 公开日期 | 2006-03-08 |
| 申请日期 | 1997-10-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47430]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 大輔,木村 達也,瀧口 透. 複合光デバイスの製造方法. JP3752369B2. 2005-12-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。